クオルテック

受託分析、故障解析、信頼性評価から研究開発まで
トータルクオリティソリューションの「クオルテック」


未来品質 トータル・クオリティ・ソリューション

各センター見学のご依頼

各センター見学のご依頼

クオルテックの技術・品質を直接ご担当者様の眼でお確かめ下さい。

ご依頼はこちら

  • 断面試料の専門サイト

お知らせ

お知らせ TDDB(酸化膜破壊)試験

半導体の寿命や信頼性維持の重要な要因である酸化膜破壊について、電圧加速による寿命試験を行っています。

TDDB(酸化膜破壊)試験

お知らせ 非破壊解析技術 C-SAM(2D〜3D)

超音波顕微鏡では、2次元像(C-Scan)が標準的であるが、より視覚的・立体的に状態を捉えるために3次元化を目指しています。

非破壊解析技術 C-SAM(2D〜3D)

お知らせ複雑な構造をもつ試料に、均一な導電被膜を形成するオスミウムコーター

試料周囲をオスミウム昇華ガスで包み込み、瞬時にオスミウムをアモルファス(非晶質)コーティングします。回り込みがよく、チャージアップのない極薄膜を形成する事ができ...

複雑な構造をもつ試料に、均一な導電被膜を形成するオスミウムコーター

事例紹介

信頼性試験TDDB(酸化膜破壊)試験

半導体の寿命や信頼性維持の重要な要因である酸化膜破壊について、電圧加速による寿命試験を行っています。
詳細はこちら

TDDB(酸化膜破壊)試験

分析・故障解析非破壊解析技術 C-SAM(2D〜3D)

超音波顕微鏡では、2次元像(C-Scan)が標準的であるが、より視覚的・立体的に状態を捉えるために3次元化を目指しています。
詳細はこちら

非破壊解析技術 C-SAM(2D〜3D)

分析・故障解析解析技術:静電気破壊 〜SiC-MOSFET/ロックイン発熱解析/プラズマFIBの活用〜

近年SiCやGaNといった次世代パワー半導体の開発・実用化が進み、故障解析技術に対する要求が高まっています。今回はSiC-MOSFETを例として、IEC6100...
詳細はこちら

解析技術:静電気破壊 〜SiC-MOSFET/ロックイン発熱解析/プラズマFIBの活用〜

品質技術

分析・評価技術半導体デバイスの電気的破壊試験と故障解析

再現実験を行い、破壊ストレスと破壊の因果関係を明らかにします。代表的な破壊要因として、EOS破壊とESD破壊の再現実験を行いました。 PDFはこちら

半導体デバイスの電気的破壊試験と故障解析

実装技術高温動作環境下におけるはんだ付け部の信頼性

接合部が高温になるパワーエレクトロニクス等の製品で、高温環境でのはんだ付け箇所の問題点を概説します。 PDFはこちら

高温動作環境下におけるはんだ付け部の信頼性

実装技術ギ酸還元はんだ付けと真空、加圧リフローの効果

ギ酸を用いたフラックスレスはんだ付けの試験結果および、真空、加圧下でのボイド調査の一部をご紹介します。 詳細はこちら

ギ酸還元はんだ付けと真空、加圧リフローの効果

セミナー/社内勉強会


PAGETOP



本社・分析センター 大阪府堺市堺区三宝町
4丁231-1
TEL:072-226-7175
FAX:072-226-7176
レーザ加工・表面処理実験室 大阪府堺市堺区三宝町
4丁230番地
TEL:072-226-7175
FAX:072-226-7176
研磨センター 大阪府堺市堺区三宝町
4丁231番地
TEL:072-282-6646
FAX:072-282-6648
PC試験装置開発室 大阪府堺市堺区鉄砲町
32-1
TEL:072-275-7711
FAX:072-275-7500
信頼性試験センター 大阪府堺市西区築港新町
3丁27-6
TEL:072-245-1668
FAX:072-339-4208
東京営業所/東京テクニカルラボ 東京都大田区大森南
3丁目12-1
TEL:03-6423-2031
FAX:03-6423-2032