クオルテック

受託分析、故障解析、信頼性評価から研究開発まで
トータルクオリティソリューションの「クオルテック」


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事例紹介

事例紹介

  • ディスプレイ製品のトータル・クオリティ・ソリューション 2019/11/26信頼性試験 ディスプレイ製品のトータル・クオリティ・ソリューション ディスプレイパネルの提供から、駆動回路設計、信頼性試験、市場不良対応までトータルサポートします。 ディスプレイ商品の試作品開発から量産を支援します。 詳細はこちら
  • X線CTの分析原理および特徴とその観察例 2019/09/20分析・故障解析 X線CTの分析原理および特徴とその観察例 物体を様々な方向からX線で撮影し再構成処理を行います。非破壊の評価が可能です。 詳細はこちら
  • 二種類のX線CTを使った非破壊解析 2019/09/05分析・故障解析 二種類のX線CTを使った非破壊解析 高い透過力と解像度を併せ持つ「FF35」と、平面の広いワークに最適な斜めCT「Cheetah EVO」。二種類のX線CTを「名古屋品質技術センター」に導入。 詳細はこちら
  • パワーサイクル試験(パワーモジュールの信頼性評価) 2019/09/05信頼性試験 パワーサイクル試験(パワーモジュールの信頼性評価) パワー半導体(モジュール)の信頼性を短時間で効率的に評価する試験。1000A超の大電流などご要望の条件に柔軟に対応。試験前後の特性変化、劣化箇所の観察と分析まで... 詳細はこちら
  • わずか数分の高速動作、高感度、低ノイズを兼ね備えたEBSD検出器を導入しました。 2019/08/23分析・故障解析 わずか数分の高速動作、高感度、低ノイズを兼ね備えたEBSD検出器を導入しました。 従来型EBSDの約20倍というハイスピード分析を、分解能を保ったまま短時間で行うことができます。 詳細はこちら
  • 【新規導入】高分解能観察と分析機能の両立を実現したFE-SEM(6月新型ハイスピードEBSD追加) 2019/04/08分析・故障解析 【新規導入】高分解能観察と分析機能の両立を実現したFE-SEM(6月新型ハイスピードEBSD追加) 広視野全体像から表面微細構造まで、短い時間で多くの情報を取得できるFE-SEMを導入しました。 詳細はこちら
  • パルス通電パワーサイクル試験とその応用例 2019/04/07信頼性試験 パルス通電パワーサイクル試験とその応用例 実動作に近い環境での「パルス通電パワーサイクル試験」を実施しています。 詳細はこちら
  • 試料に生じる反りやうねり、粗さの分析および測定 2019/03/12信頼性試験 試料に生じる反りやうねり、粗さの分析および測定 試料に生じた「反り」「うねり」の様子を分析し、評価する体制を整えております。 詳細はこちら
  • 12GHz帯バンドパスフィルタ試作 2018/11/14微細加工 12GHz帯バンドパスフィルタ試作 クオルテックの独自技術である、レーザ/めっき技術の応用として12GHz帯でのバンドパスフィルタをテフロン板上に試作しました。 詳細はこちら
  • 難めっき素材へのめっき密着 2018/11/13微細加工 難めっき素材へのめっき密着 レーザ加工と特殊な表面処理を組合せることで、難めっき材料にめっきを密着させる技術を開発しました。 詳細はこちら
  • フェムト秒レーザ加工 2018/11/12微細加工 フェムト秒レーザ加工 フェムト秒レーザでの加工は非熱的加工となり、被加工物に対して熱影響の少ない(無い)加工が可能となります。 詳細はこちら
  • TDDB(酸化膜破壊)試験 2018/10/12信頼性試験 TDDB(酸化膜破壊)試験 半導体の寿命や信頼性維持の重要な要因である酸化膜破壊について、電圧加速による寿命試験を行っています。 詳細はこちら
  • 非破壊解析技術 C-SAM(2D〜3D) 2018/10/09分析・故障解析 非破壊解析技術 C-SAM(2D〜3D) 超音波顕微鏡では、2次元像(C-Scan)が標準的であるが、より視覚的・立体的に状態を捉えるために3次元化を目指しています。 詳細はこちら
  • 解析技術:静電気破壊 〜SiC-MOSFET/ロックイン発熱解析/プラズマFIBの活用〜 2018/10/05分析・故障解析 解析技術:静電気破壊 〜SiC-MOSFET/ロックイン発熱解析/プラズマFIBの活用〜 近年SiCやGaNといった次世代パワー半導体の開発・実用化が進み、故障解析技術に対する要求が高まっています。今回はSiC-MOSFETを例として、IEC6100... 詳細はこちら
  • プラズマFIB-SEMの加工 〜分析性能と実例〜 2018/10/04分析・故障解析 プラズマFIB-SEMの加工 〜分析性能と実例〜 従来のGaタイプのFIBと比べて大電流値での加工が可能になったため、数十μmの通常加工はもちろん500μmの大面積加工が可能です。 詳細はこちら

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