解析技術：静電気破壊 〜SiC-MOSFET/ロックイン発熱解析/プラズマFIBの活用〜
故障解析手順
【Step 0】初動調査
●外観観察
●電気的特性測定 等
※故障箇所が変化しないように、ストレスの少ない手法から選んで、位置を絞り込んでいきます。
【Step 1】非破壊解析
●X線観察
●超音波顕微鏡 等
↓
故障箇所特定
●ロックイン発熱解析
●IR-OBIRCH 等
【Step 2】物理解析
●断面研磨/SEM 等
↓
詳細解析
●プラズマFIB
●FE-SEM/EDS
●STEM 等
Step 1：SiCチップの故障箇所特定（X線観察・超音波顕微鏡・LIT）
●破壊したサンプルの外観観察、及び非破壊検査においては異常は確認されませんでした。
このことから、故障規模が微小であることが推察されます。
●レーザーと薬液開封によりSiCチップを露出し、LITによる発熱解析を行うことで微小な故障箇所を絞り込みました。
Step 2：故障箇所の詳細解析（プラズマFIB・FE-SEM/EDS）
アルミ電極を除去後にIR-OBIRCHで故障箇所を特定し、最新のプラズマFIB装置を用いてSiCチップの断面図を解析した結果、故障したセルのトレンチゲート左側の酸化膜が破壊している様子が確認されました。
