基板やコネクタ端子の表面処理などの膜厚測定を、スピーディに行うことが出来ます。

・X線発生系にキャピラリを採用し、X線を集光することにより従来のコリメータ方式に比べ10倍以上の蛍光X線強度を発生するため、微小部の膜厚測定の精度が向上しています。またX線検出器を従来の比例計数管から半導体検出器に変更することで、X線感度、分解能が大幅に向上しました。
・φ30 μmまで集光するので、これまで困難であった微細な領域の膜厚測定が可能になりました。
・レーザポインタによる自動高さ設定が可能になりました。 (オートフォーカス)
・薄膜FPモードにより検量線作成が従来より簡便になりました。蛍光X線の実測強度に対し,同様な理論強度を与える物質量・組成比を収束演算により求めます。理論計算モデルと実際の装置の差異を補正するため1点の既知試料を標準として登録します。

・キャピラリで集光する方式となり、検出器とサンプルとの距離が3mmまでとなったので、サンプルの段差には注意が必要です。
・母材が0.5mm以上無い場合は裏面側の箔の情報を読み取ってしまうことがあります。
・同一元素が下地（母材・多層めっき）に有る場合はその情報も読み取られるため原理上、測定ができません。
　例：青銅（ CuSn 合金）上のCu（ Sn ）めっき厚
・測定面が平坦でない場合X線が乱反射するため検出が困難になり、正確な値がでません。

・基板表面処理（ Ni/Au めっき,はんだレベラ）の膜厚測定。
・部品電極,コネクタ端子表面処理の膜厚測定。
・簡便な定性分析。