高温による半導体の劣化加速試験「HTRB試験」
概要
HTRB（High Temperature Reverse Bias/高温逆バイアス試験）とは、高温による半導体の劣化加速試験のことです。
高温、高電圧のストレスをかけて、リーク電流の挙動を測定することにより、故障の有無を確認します。
近年SiCが実用化されてきておりますが、SiCは逆バイアス時のリーク電流が一般的に多く、高温逆バイアス試験の重要性が増しております。
特徴
・印加電圧等任意に設定可能です。
・DUTへの放熱対策等が必要であれば対応致します。
・その他特殊なカスタム試験もご相談承ります。
測定系写真
カスタム試験対応例
リーク電流が多いサンプルの高温逆バイアス試験を行う場合、試験中、熱暴走が発生する場合があります。
そこで、Tjがある一定の温度以上になるとDUTに対して外気導入を行いサンプルを冷やしてやることにより、熱暴走を防ぐような試験を行うことも可能です。
