ボンディング性評価のためのシリコンエッチング技術

IC等におけるワイヤーボンディング部の接合状態を正しく評価するためには、接合面での金属間化合物の生成状態を観察する必要があります。
金属間化合物の面積が大きければ、接合面がそれだけ広い事になり、ボンディングOKと評価できます。
従来の断面観察では、金属間化合物の生成状態をある1点でしか確認できず、評価の裏付けとしては弱さの残るものでした（下図）。
クオルテックでは、ボンディングされた箇所の裏面からシリコンをエッチングする事で、金属間化合物の生成状態を、より明確に観察する技術を開発。
金属間化合物の面積を算出し、数値による評価が可能となりました（下図）。

ワイヤーボンディング部の接合面を断面ではなく平面から観察する事で、金属間化合物の生成状態を明確かつ定量的に評価することが可能です。